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(1)勻強(qiáng)電場(chǎng)E2的大小. (2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小. 【查看更多】

題目列表(包括答案和解析)

一勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向垂直紙面，規(guī)定向里的方向?yàn)檎Ｔ诖艌?chǎng)中有一細(xì)金屬圓環(huán)，線圈平面位于紙面內(nèi)，如圖1所示。現(xiàn)令磁感強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化，先按圖2中所示的oa圖線變化，后來(lái)又按圖線bc和cd變化，令E₁、E₂、E₃分別表示這三段變化過程中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小，I₁、I₂、I₃分別表示對(duì)應(yīng)的感應(yīng)電流，則（）

A．E₁＞E₂，I₁沿逆時(shí)針方向，I₂沿順時(shí)針方向

B．E₁＜E₂，I₁沿逆時(shí)針方向，I₂沿順時(shí)針方向

C．E₁＜E₂，I₂沿順時(shí)針方向，I₃沿逆時(shí)針方向

D．E₂= E₃，I₂沿順時(shí)針方向，I₃沿順時(shí)針方向

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一勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向垂直紙面，規(guī)定向里的方向?yàn)檎Ｔ诖艌?chǎng)中有一細(xì)金屬圓環(huán)，線圈平面位于紙面內(nèi)，如圖所示。現(xiàn)令磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化，先按右圖所示的oa圖線變化，后來(lái)又按bc和cd變化，令E1、E2、E３分別表示這三段變化過程中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小，I1、I2、I3分別表示對(duì)應(yīng)的感應(yīng)電流，則

A．E1＞E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向?

B．E1＜E2，I1沿逆時(shí)針方向，I2沿順時(shí)針方向?

C．E1＜E2，I2沿順時(shí)針方向，I3沿逆時(shí)針方向?

D．E2=E3，I2沿順時(shí)針方向，I3沿逆時(shí)針方向

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A．E₁＞E₂，I₁沿逆時(shí)針方向，I₂沿順時(shí)針方向

B．E₁＜E₂，I₁沿逆時(shí)針方向，I₂沿順時(shí)針方向

C．E₁＜E₂，I₂沿順時(shí)針方向，I₃沿逆時(shí)針方向

D．E₂= E₃，I₂沿順時(shí)針方向，I₃沿順時(shí)針方向

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A．E₁＞E₂，I₁沿逆時(shí)針方向，I₂沿順時(shí)針方向

B．E₁＜E₂，I₁沿逆時(shí)針方向，I₂沿順時(shí)針方向

C．E₁＜E₂，I₂沿順時(shí)針方向，I₃沿逆時(shí)針方向

D．E₂= E₃，I₂沿順時(shí)針方向，I₃沿順時(shí)針方向

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一勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向垂直紙面，規(guī)定向里的方向?yàn)檎Ｔ诖艌?chǎng)中有一細(xì)金屬圓環(huán)，線圈平面位于紙面內(nèi)，如圖1所示。現(xiàn)令磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化，先按圖2所示的oa圖線變化，后來(lái)又按bc和cd變化，令E₁、E₂、E₃分別表示這三段變化過程中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小，I₁、I₂、I₃分別表示對(duì)應(yīng)的感應(yīng)電流，則 ?

[ ]

A．E₁＞E₂，I₁沿逆時(shí)針方向，I₂沿順時(shí)針方向?
B．E₁＜E₂，I₁沿逆時(shí)針方向，I₂沿順時(shí)針方向
C．E₁＜E₂，I₂沿順時(shí)針方向，I₃沿逆時(shí)針方向?
D．E₂=E₃，I₂沿順時(shí)針方向，I₃沿順時(shí)針方向

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題號(hào)

答案

題號(hào)

答案

ABD

23．右；；半導(dǎo)體材料；

用電器件Z的電流隨電壓變化的規(guī)律是，其具體的表達(dá)式為

24．解：（1）對(duì)系統(tǒng)AB：

（2）開始時(shí)彈簧形變量為，由平衡條件：

①

設(shè)當(dāng)A剛離開檔板時(shí)彈簧的形變量為：由：可得 ②

故C下降的最大距離為： ③

由①～③式可解得 ④

（3）由能量守恒定律可知：C下落h過程中，C重力勢(shì)能的的減少量等于B的電勢(shì)能的增量和彈簧彈性勢(shì)能的增量以及系統(tǒng)動(dòng)能的增量之和

當(dāng)C的質(zhì)量為M時(shí)： ⑤

當(dāng)C的質(zhì)量為2M時(shí)，設(shè)A剛離開擋板時(shí)B的速度為V

⑥

由④～⑥式可解得A剛離開P時(shí)B的速度為：

25．（1）由牛頓第二定律可得，電荷進(jìn)入坐標(biāo)系第1秒內(nèi)在y軸正方向有

第1秒末，對(duì)于電荷應(yīng)有沿y軸正方向的速度：

電荷到達(dá)的位置為：，由于電荷又經(jīng)1秒后，返回x軸上某一點(diǎn)，在這1秒內(nèi)有：

聯(lián)立以上兩式，將已知值帶入求得：E₂=60N/C

（2）電荷返回x軸上某點(diǎn)時(shí)，應(yīng)有

電荷沿y軸負(fù)方向的速度

電荷沿x軸正方向的速度：

電荷的合速度：

此時(shí)電荷到達(dá)的位置為：

由此可得，電荷到達(dá)x軸上（6，0）點(diǎn)后，將做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，經(jīng)一段時(shí)間后返回O點(diǎn)，

根據(jù)電荷在（6，0）點(diǎn)的速度關(guān)系及幾何關(guān)系可得：

解得繞得半徑：

又由：代入解得勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度：（3）設(shè)當(dāng)電場(chǎng)變成E₂后，電荷經(jīng)時(shí)間t₁，沿y軸正方向的速度為零，則有：

解得，

此段時(shí)間內(nèi)電荷在y軸正方向發(fā)生的位移：

文本框: 在x軸方向發(fā)生的位移：

此時(shí)電荷的坐標(biāo)為：

然后，電荷從（4，）點(diǎn)將做類平拋運(yùn)動(dòng)，在s時(shí)間內(nèi)返回x軸上的（6，0）點(diǎn)。

最后作勻速圓周運(yùn)動(dòng)，回到O點(diǎn)。由以上分析結(jié)合（1）（2）問的解答，畫出電荷運(yùn)動(dòng)

軌跡如圖所示

26．（1）氧氣向左，二氧化碳向右擴(kuò)散作用（2）升高（3）曲線如圖理由：種子吸脹萌發(fā)，呼吸作用加強(qiáng)。

呼吸作用增加，釋放CO₂增加，提高光合作用速率

（4）CO₂濃度過高抑制了呼吸作用等生理過程，從而影

響了光合作用產(chǎn)物的轉(zhuǎn)動(dòng)，抑制了光合作用強(qiáng)度。

[或：過高濃度的CO₂，使控制氣孔關(guān)閉的基因表達(dá)，導(dǎo)致氣孔關(guān)閉，二氧化碳供應(yīng)減少，光合作用速度降低]

27．解析：此題為遺傳學(xué)題目。（1）此題主要考察遺傳學(xué)兩大定律。

P： AaBB×aaBb

↓

F1：AaBB AaBb aaBB aaBb 即后代基因型有4種。

要想自交產(chǎn)生矮生黃果（aabb），找隱性基因最多的，即aaBb植株自交：

F1： aaBb

↓×

F2： 1aaBB 2aaBb 1aabb

表現(xiàn)型：矮生紅果矮生黃果

比例： 3 ： 1

（2）此題考察減數(shù)分裂，此題容易考慮不全而失分。

減數(shù)第一次分裂時(shí)A基因所在的同源染色體不分離，情況有兩種，一種是兩條染色體均進(jìn)入次級(jí)卵母細(xì)胞，這樣的話，經(jīng)過正常的減數(shù)第二次分裂得到的雌配子染色體數(shù)目就為12+1=13條；另一種可能是兩天染色體均進(jìn)入第一極體，這樣，次級(jí)卵母細(xì)胞進(jìn)行正常的減數(shù)第二次分裂得到的雌配子染色體數(shù)目就為12-1=11條。因此，得到的雌配子對(duì)于A基因來(lái)說(shuō)就有O（表示不含A基因）和AA兩種，與aa產(chǎn)生的雄配子a結(jié)合得到的后代基因型就有a（注意此處是單體而非單倍體）和AAa（此處為三體而非三倍體）兩種，對(duì)應(yīng)的株高表現(xiàn)型也就是矮生植株或正常植株。

（3）此題考察基因突變，堿基對(duì)的增添、缺失或改變，以及基因的表達(dá)過程。（詳見答案）

（4）此題綜合考察基因工程技術(shù)及實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法，很容易只答一個(gè)方面，即只對(duì)矮生植株進(jìn)行過量表達(dá)而忽略對(duì)正常植株A基因表達(dá)的抑制作用。對(duì)于第二種方法的思路比較簡(jiǎn)單，可能想到的同學(xué)出錯(cuò)能比較少。第③個(gè)問題比較簡(jiǎn)單，考察基因?qū)π誀畹目刂啤?/p>

答案：（1）4 aaBb 矮生紅果：矮生黃果=3：1 （2）13或11 正常或矮生（3）Y Y突變體的蛋白質(zhì)中氨基酸的改變比X突變體可能更多（或：X突變體的蛋白質(zhì)可能只有一個(gè)氨基酸發(fā)生改變，Y突變體的蛋白質(zhì)氨基酸序列可能從第一個(gè)氨基酸后都改變）。

（4）①答案一： b. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，一是抑制正常植株A基因的表達(dá)，二是使A基因在矮生植株過量表達(dá)。 c. 測(cè)定兩個(gè)實(shí)驗(yàn)組植株的赤霉素含量和植株。

答案二： b. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，抑制正常植株A基因的表達(dá)，測(cè)定其赤霉素含量和株高。

c. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，使A基因在矮生植株過量表達(dá)，測(cè)定其赤霉素含量和株高。

（答案二中b和c次序不做要求）

②與對(duì)照比較，正常植株在A基因表達(dá)被抑制后，赤霉素含量降低，株高降低；與對(duì)照比較，A基因在矮生植株中過量表達(dá)后，該植株赤霉素含量增加，株高增加。

③基因通過控制酶的合成來(lái)控制代謝途徑，進(jìn)而控制生物性狀。

28．

△

====

（2）Cu＋2H₂SO₄（濃） CuSO₄＋SO₂↑＋2H₂O

高三理綜第六次質(zhì)量檢查試卷答案第4頁(yè) 共4頁(yè)

（4）無(wú)水硫酸銅；靜置，傾倒出上層清液，加入蒸餾水，白色固體溶解，得到藍(lán)色溶液（或其它合理答案）。

（5）NaOH溶液（或其它合理答案）

（6）①保證晶體中結(jié)晶水已完全除去

②偏大；BC

29．（1）；

（2）；

（3）N₂+6H₂O+6e^-=2NH₃+6OH^-

（4）；

（5）①往少量的最后一次洗滌所得濾液中加入稀H₂SO₄溶液（或溶液），若產(chǎn)生白色沉淀，則沉淀沒有洗滌干凈；若無(wú)白色沉淀，則沉淀已洗滌干凈。

②

30． (1)HCO₃^-+H₂OH₂CO₃+OH^-；大于；

①乙；B；

②等于；甲；

③乙；常壓下加熱NaHCO₃的水溶液，溶液的溫度達(dá)不到150℃

(2)① 0.004mol?L^-1?s^-1 ；

②減小壓強(qiáng) ;0.04mol

③ 3A (g) 2C(g) + B(g)；ΔH＝+100akJ?mol^－¹

31． ( 8分）（1）NH₄⁺ （1分）取濾液少量于試管中，加入濃NaOH溶液，加熱，生成的氣體能使?jié)駶?rùn)的紅色石蕊試紙變藍(lán)的氣體（2分）

（3）Al(OH)₃、Al₂O₃、Fe₂O₃(3分)

（4）K₂SO₄、(NH₄)₂SO₄(2分)

32． ( 8 分) ⑴ O＞N＞C （1分） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸4s²（1分）

⑵ 順鉑易溶于水，因?yàn)樗菢O性分子，易溶于極性溶劑（2分）

⑶ ① （2分） ② sp³和sp²（2分）

（2）

（3）②

⑥

34．（8 分）⑴橘（橙）黃　　　親脂性有機(jī)溶劑（或有機(jī)溶劑）　　　胡蘿卜素是脂類物質(zhì)

⑵萃取萃取　過濾　濃縮　 ⑶溫度　時(shí)間　溫度過高和時(shí)間過長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致胡蘿卜素分解

⑷紙層析　標(biāo)準(zhǔn)樣品 ⑸反

35.（8分）（一）（1）在培養(yǎng)液中加入一定量的抗生素，定期更換培養(yǎng)液（答上一點(diǎn)即得分）

（2）10代以后的細(xì)胞遺傳物質(zhì)可能發(fā)生突變（或保證供體細(xì)胞正常的遺傳基礎(chǔ)）

（二）（1）使供、受體的生理?xiàng)l件達(dá)到同步或者一致

（2）促性腺激素（3）桑椹胚或囊胚（4）具有相同的遺傳物質(zhì)

（三）（1）篩選和檢測(cè) （2）抗原、抗體之間結(jié)合的高度特異性

36．解：⑴ABC

①根據(jù)得：

②由得：

太陽(yáng)光在垂直單位面積上的輻射功率為

37．（1）1.6或 1.4或

（2）光路示意圖如圖所示，設(shè)透明體的厚度為d，光透入透明體時(shí)的折射角為

由 ,由題意及光路圖得：△s=2dtan60°－2dsin30°

代入數(shù)值解得：d=1.5cm

光在透明介質(zhì)量傳播的速度光在透明介質(zhì)里的路程

光在透明體里運(yùn)動(dòng)的時(shí)間

聯(lián)立解得：t=2×10^-10s

38．⑴CDF

(2)氫原子從n>2的某一級(jí)躍遷到n=2的能級(jí)，滿足：h_v=E_n－E₂=2.55eV

所以E_n=h+E₂=－0.85eV 可見n=4

躍遷圖如右圖所示

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